“一蹴”不等于“而就” 科研成果何必尬捧
- 來源:互聯(lián)網(wǎng)
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- 2019-05-30
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香港《南華早報(bào)》網(wǎng)站5月27日發(fā)布消息《中國科學(xué)家開發(fā)了DNA鏈一樣寬的晶體管》,廣為轉(zhuǎn)載。中科院微電子所公布:他們?cè)凇靶滦蚇C-FinFET器件的研制方面取得新進(jìn)展”。
可惜傳著傳著,消息變了味兒——《中國破解芯片困局迎來曙光,打破美國封鎖已箭在弦上》《剛剛,中國研發(fā)出世界最先進(jìn)晶體管!為國產(chǎn)芯片注入一劑強(qiáng)心針!》……不得不說:溢美之詞反映吃瓜群眾的美好愿望,卻令科學(xué)家尷尬。
研究新型FinFET器件,是為降低能耗,不然芯片就太燙了,F(xiàn)在的主流芯片,都是FinFET結(jié)構(gòu)。Fin是魚鰭的意思。以前,電路板是一個(gè)平面,芯片越縮越小,電路越來越密,就會(huì)短路。后來,有人想出在第三維上做“鰭”結(jié)構(gòu),使二維電路變細(xì)的同時(shí),電子不亂跑。
中科院此次的成就,是用新的工藝和設(shè)計(jì),造出性能更優(yōu)秀的FinFET器件。關(guān)鍵詞是“負(fù)電容”,即通過一些結(jié)構(gòu),在降低電壓的同時(shí)增加電荷。兩年前,國際上開始用氧化鉿鋯等材料來實(shí)現(xiàn)負(fù)電容。
中科院此次借助3納米的高質(zhì)量的氧化鉿鋯薄膜,實(shí)現(xiàn)了大有潛力的負(fù)電容FinFET器件,意義或許如《南華早報(bào)》所說,是“與芯片開發(fā)前沿的頂級(jí)角色正面競爭”。
但扯到“打破美國封鎖”,就太沒邊了。芯片趕超之路猶如中山陵的臺(tái)階,一步哪能蹦上去。即使成果轉(zhuǎn)化,芯片試制成功,還有量產(chǎn)和商業(yè)化的關(guān)要過。芯片產(chǎn)業(yè)分工極細(xì),將某個(gè)環(huán)節(jié)的進(jìn)步說成一舉奪魁,未免幼稚。
人人愛看爆炸新聞?茖W(xué)論文說乳腺癌找到一個(gè)可能的作用靶點(diǎn),被記者寫成《乳腺癌可能有新療法》,再轉(zhuǎn)載為《不用切胸了,乳腺癌將被治愈》,最后傳成了《人類終于征服癌癥,X國科學(xué)家居功至偉》。隨著中國人關(guān)注“缺芯”,這類瞎傳有了新版本。
科學(xué)成就極少驚人,大成就是小進(jìn)展一點(diǎn)點(diǎn)攢出來的。喜歡傳播可疑的好消息,反映我們的兩種心態(tài):一是不求甚解,人云亦云;二是好大喜功,或曰浮躁。浮躁者高唱贊歌,卻打擾別人安靜干活。
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- 編輯:李娜
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